STL12P6F6

STL12P6F6是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，隶属于先进的DeepGATE与STripFET VI产品系列。该器件采用优化的垂直沟槽工艺，在60V漏源电压和4A连续漏极电流的规格下，实现了低至160毫欧（@10V, 1.5A）的导通电阻与仅6.4nC的栅极电荷，在导通损耗与开关速度之间取得了出色平衡。

其采用节省空间的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，优异的封装热设计支持高达75W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至175°C。这些特性使其成为高效率DC-DC转换、负载开关及电机控制等应用的理想解决方案，尤其适合空间受限且对热管理有较高要求的现代电子系统。

• 型号:STL12P6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 4A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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