STL135N8F7AG技术参数详情：
STL135N8F7AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的车规级N沟道功率MOSFET，隶属于Automotive STripFET F7产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，在紧凑的PowerFlat（5x6）表面贴装封装内，提供了80V的漏源电压（Vdss）和高达130A（Tc）的连续漏极电流处理能力。
其核心电气特性表现为极低的导通电阻，最大值仅为3.6毫欧（@10V，13A），这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg，最大值103nC @10V）确保了高效的开关性能。器件支持-55°C至175°C（TJ）的宽工作温度范围，并具备强大的功率耗散能力（135W，Tc），专为要求高可靠性、高效率和高功率密度的汽车动力总成与电源管理系统设计。
- 型号:STL135N8F7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 80V 130A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):130A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:103 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 40 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），135W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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