STL13DP10F6技术参数详情：
STL13DP10F6是ST意法半导体推出的一款双P沟道功率MOSFET阵列，采用先进的STripFET VI技术和PowerVDFN封装。该器件专为高密度、高效率的功率开关应用而设计，每个通道提供100V的漏源电压（Vdss）和13A的连续漏极电流（Id）能力。
其核心优势在于极低的导通电阻（RDS(on)典型值180mΩ @ 10V）和栅极电荷（Qg最大值16.5nC @ 10V），这共同确保了较低的传导损耗和开关损耗，从而提升系统整体效率。作为逻辑电平门器件，它可直接由低压微控制器驱动，简化了电路设计。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和62.5W的功率处理能力，使其能够胜任严苛的工业环境应用。
- 型号:STL13DP10F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 100V 13A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 个 P 沟道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 1.7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.5nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864pF @ 25V
- 功率 - 最大值:62.5W
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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