STL13N60DM2

STL13N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的PowerFlat HV封装，专为高功率密度表面贴装应用而优化。

其核心电气参数定义了卓越的性能：600V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id）提供了强大的功率处理能力。关键优势在于极低的导通电阻（370mΩ @ 10V, 4A）与较低的栅极电荷（19nC @ 10V）相结合，这显著降低了传导与开关损耗，为实现高效率、高频率的电源转换奠定了坚实基础。

该器件支持高达150°C的结温工作，并采用紧凑的5x6 mm表面贴装封装，使其成为开关电源（SMPS）、电机驱动、照明和工业逆变器等高压、高效应用场景中的可靠选择。

• 型号:STL13N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:370 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:730 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:52W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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