STL140N6F7技术参数详情：
STL140N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII技术的DeepGATE产品系列。该器件设计用于高效功率处理，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值2.5mΩ @ 10V）与优化的栅极电荷（最大值40nC），这共同实现了优异的传导与开关性能平衡，有助于提升整体系统效率。
该MOSFET额定参数为60V漏源电压和145A连续漏极电流，采用热增强型表面贴装PowerFlat封装，确保了出色的电流承载能力和散热性能。其工作结温高达175°C，支持高功率密度应用设计，主要面向同步整流、电机驱动和工业电源开关等要求严苛的领域。
- 型号:STL140N6F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 145A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):145A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 16A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），125W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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