STL150N3LLH5

STL150N3LLH5是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的N沟道功率MOSFET，属于其高性能STripFET V产品系列。该器件设计用于低压、大电流的开关应用，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值1.75毫欧 @ 10V）与高达195A的连续漏极电流能力，这使其在导通期间的功率损耗显著降低。

此外，该MOSFET具备优化的开关特性，其最大栅极电荷仅为40nC，有助于实现快速的开关转换并减少驱动损耗。30V的漏源电压和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C结温）使其能够稳定应对严苛的工业环境。这些参数特性共同定义了该器件在高效率电源转换和功率管理解决方案中的核心价值。

• 型号:STL150N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 195A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):195A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:114W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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