STL15DN4F5技术参数详情：
STL15DN4F5是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的汽车级双N沟道功率MOSFET。该器件采用STripFET V技术和紧凑的8-PowerVDFN（PowerFLAT）封装，集成了两个逻辑电平门控通道，每个通道额定值为40V Vdss和60A连续漏极电流。
其核心优势在于极低的导通电阻，典型值低至9毫欧（@10V，7.5A），以及优化的栅极电荷（25nC @10V），这共同实现了出色的传导效率和快速的开关性能。宽工作结温范围（-55°C至175°C）和60W的最大功耗能力，使其能够稳定应对汽车电子及工业应用中的严苛环境挑战。
- 型号:STL15DN4F5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550pF @ 25V
- 功率 - 最大值:60W
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 现在可以订购STL15DN4F5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
