STL15N60M2-EP

STL15N60M2-EP是ST意法半导体MDmesh M2-EP系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装PowerFlat HV封装。该器件设计用于高压环境，其核心优势在于结合了600V的漏源电压（V_DSS）与较低的导通电阻，在10V V_GS下典型R_DS(on)值表现优异，能有效降低功率损耗。

其电气参数针对高效开关应用进行了优化，包括较低的栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss），这有助于实现快速开关并减少驱动损耗。器件在25°C壳温下额定连续漏极电流为7A，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻条件下的稳定运行与长寿命。

• 型号:STL15N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:418 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:55W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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