STL160NS3LLH7

STL160NS3LLH7是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET VII与DeepGATE产品系列。该器件设计用于30V电压环境，在25°C壳温下可连续通过高达160A的电流，其核心卖点在于极低的导通电阻（典型值2.1毫欧 @ 10V）与极低的栅极电荷（最大值20nC @ 4.5V），这共同实现了优异的传导效率与快速的开关性能。

其表面贴装型PowerFlat（5x6）封装优化了散热与空间占用，支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，最大功耗为84W。这些参数使其成为高效率、高功率密度电源解决方案的理想选择，尤其适用于同步整流、DC-DC转换及电机控制等低压大电流应用场景。

• 型号:STL160NS3LLH7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3245 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:84W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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