STL18N65M2

STL18N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的MDmesh M2产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，提供了650V的漏源电压（Vdss）额定值和8A的连续漏极电流（Id）能力，专为高效功率转换而设计。

其核心优势在于优异的导通与开关性能平衡。在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至365毫欧，有助于显著降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值21.5nC）确保了快速的开关速度，从而有效控制开关损耗。器件采用热增强型的PowerFlat HV表面贴装封装，支持高达150°C的结温，为高功率密度应用提供了可靠的解决方案。

• 型号:STL18N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 8A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:365 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:764 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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