STL190N4F7AG

STL190N4F7AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET，采用先进的STripFET技术和紧凑的PowerFlat（5x6）封装。其核心优势在于极低的导通电阻（典型值2mΩ @ 10V）与优化的栅极电荷（最大值41nC），这共同实现了优异的功率转换效率与低开关损耗。

该器件额定参数为40V漏源电压与120A连续漏极电流（T_C），具备宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）和坚固的±20V栅源电压耐受能力。这些特性使其能够可靠地应对汽车电子环境中常见的电压瞬态和温度波动，确保系统长期稳定运行。

• 型号:STL190N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:127W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL190N4F7AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。