STL200N45LF7

STL200N45LF7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件设计用于处理高达120A的连续漏极电流，其漏源电压额定值为45V，核心优势在于其极低的导通电阻，在10V V_GS下典型值仅为1.8毫欧，能显著降低导通状态下的功率损耗。

器件采用先进的沟槽栅技术，实现了栅极电荷（典型值33nC @ 4.5V）与导通性能的良好折衷，有利于提升开关频率并降低开关损耗。其采用热性能优异的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在高功率密度应用中的可靠性和散热能力。

• 制造商产品型号：STL200N45LF7
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 45V 120A POWERFLAT
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F7
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：45V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.8 毫欧 @ 18A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5170pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：PowerFlat（5x6）
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