STL20DN10F7

STL20DN10F7是ST意法半导体推出的一款采用PowerFLAT56封装的表面贴装型双N沟道功率MOSFET。该器件隶属于STripFET VII产品系列，集成了DeepGATE技术，旨在提供卓越的开关性能与功率处理能力。

其关键电气参数包括100V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id），确保了在中等功率应用中的稳健性。67毫欧的低导通电阻（最大值）有助于最小化传导损耗，而7.8nC的低栅极电荷（Qg）则支持高速开关，从而降低开关损耗并提升整体系统效率。62.5W的最大功耗和-55°C至150°C的宽工作结温范围，进一步保障了其在各种环境条件下的可靠运行。

• 型号:STL20DN10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:100V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:408pF @ 50V
• 功率 - 最大值:62.5W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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