STL20DNF06LAG技术参数详情：
STL20DNF06LAG是ST意法半导体生产的一款符合AEC-Q101标准的汽车级双N沟道功率MOSFET阵列。该器件采用PowerFLAT封装，集成了两个逻辑电平门控的MOSFET通道，每个通道具备60V的漏源电压（Vdss）和20A的连续漏极电流（Id）处理能力。
其核心电气优势在于极低的导通电阻（典型值40毫欧 @ 10V）和栅极电荷（最大值22.5nC），这共同实现了高效率与低开关损耗，特别适用于空间紧凑、要求高频开关的汽车电子功率控制场景。器件工作结温高达175°C，确保了在恶劣汽车环境下的可靠运行。
- 型号:STL20DNF06LAG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 20A POWERFLAT
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:670pF @ 25V
- 功率 - 最大值:75W
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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