STL23NM60ND

STL23NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的FDmesh II产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，核心规格包括600V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下19.5A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其关键优势在于优异的导通性能，在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至180毫欧（@10A），这直接有助于降低功率损耗，提升系统整体效率。同时，其最大栅极电荷（Qg）为70nC，有利于实现快速的开关切换并简化驱动电路设计。器件采用表面贴装的PowerFlat HV封装，兼顾了紧凑的占板面积与良好的散热特性。

• 型号:STL23NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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