STL25N15F4技术参数详情：
STL25N15F4是ST意法半导体基于STripFET和DeepGATE技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用表面贴装PowerFlat（5x6）封装，提供150V的漏源电压（Vdss）和高达25A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力，适用于中高功率应用场景。
其关键电气特性包括在10V驱动电压下低至63毫欧（@3A）的导通电阻，以及最大48nC（@10V）的栅极电荷，这有助于降低导通损耗并实现高效率的快速开关。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，最大功率耗散为80W（Tc），确保了在 demanding 环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STL25N15F4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:150 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:48 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2710 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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