STL25N60M2-EP技术参数详情：
STL25N60M2-EP是ST意法半导体MDmesh M2-EP系列中的一款高压N沟道功率MOSFET。该器件设计用于在高达600V的电压和16A的连续电流下高效工作，其核心优势在于实现了低至205毫欧的导通电阻与仅29nC的栅极电荷之间的优异折衷，这直接转化为更低的导通与开关损耗。
它采用热增强型的表面贴装PowerFlat HV封装，支持高达125W的功率耗散，并能在-55°C至150°C的宽结温范围内稳定运行。这些特性使其成为要求高效率和可靠性的高压、高频开关应用的理想选择，例如工业电源、电机驱动和新能源转换系统。
- 型号:STL25N60M2-EP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 16A PWRFLAT HV
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:205 毫欧 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1090 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
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