STL26NM60N

STL26NM60N是ST意法半导体MDmesh II系列中的一款N沟道功率MOSFET，专为高效高压开关应用而设计。其核心优势在于结合了600V的高漏源电压（Vdss）与低至185毫欧（@10V, 10A）的导通电阻（Rds(on)），这得益于先进的MDmesh II技术，显著降低了功率损耗。

该器件采用PowerFlat HV表面贴装封装，在紧凑尺寸下提供了良好的散热能力。其栅极电荷（Qg）最大值仅为60nC，有利于实现快速开关并降低驱动损耗，而19A（Tc）的连续漏极电流额定值则确保了强大的电流处理能力。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率因数校正等应用的理想选择。

• 型号:STL26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Ta），19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:185 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125mW（Ta），3W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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