STL28N60DM2

STL28N60DM2是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用POWERFLAT 8x8封装。该器件核心规格包括60V的漏源电压和高达21A的连续漏极电流处理能力，专为高功率密度应用而设计。

其封装技术提供了优异的散热性能，有助于在紧凑空间内实现高效的热管理。优化的电气参数旨在降低导通与开关损耗，提升系统整体效率，使其成为中压、中高电流开关应用的理想解决方案。

• 型号:STL28N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 21A PWRFLAT 8X8
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:-
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