STL35N75LF3技术参数详情：
STL35N75LF3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用紧凑的PowerFlat（3.3x3.3）表面贴装封装。该器件额定漏源电压（Vdss）为75V，在25°C壳温下可承受高达32A的连续漏极电流，其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs条件下典型值低至25毫欧，有效降低了导通损耗。
其关键电气参数针对高效开关应用进行了优化，包括最大7.5nC的低栅极电荷（Qg）和最大800pF的输入电容（Ciss），这有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备±20V的栅源电压耐受能力，确保了在严苛环境下的可靠性与鲁棒性。
- 型号:STL35N75LF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 75V 32A POWERFLAT
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:75 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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