STL36N55M5技术参数详情：
STL36N55M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，核心优势在于550V的高漏源电压与极低的导通电阻（90mΩ @ 10V, 16.5A）的出色结合，这使其在高电压应用中能显著降低传导损耗，提升系统效率。
其62nC的低栅极电荷特性确保了快速的开关速度，有助于减小开关损耗并简化驱动设计。器件采用表面贴装型PowerFlat HV封装，在提供高达22.5A连续漏极电流和150W（Tc）功率处理能力的同时，实现了优异的散热性能和紧凑的布局。这些特性使其成为工业级开关电源、PFC电路、电机驱动及UPS等高效能、高可靠性功率转换系统的核心开关元件的理想选择。
- 型号:STL36N55M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:550 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 16.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2670 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），150W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 封装/外壳:4-PowerVDFN
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