STL36N60M6

STL36N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M6产品系列。该器件采用先进的垂直架构技术，旨在为高压应用提供卓越的能效与可靠性。

其核心电气参数包括600V的漏源击穿电压和25A的连续漏极电流，确保了强大的功率处理能力。关键优势在于极低的导通电阻（典型值110mΩ @ 10V, 12.5A）与优化的栅极电荷（最大值44.3nC @ 10V）相结合，这显著降低了传导与开关损耗，有助于提升整体系统效率。器件采用低热阻的PowerFlat HV表面贴装封装，支持高达160W的功率耗散，工作结温范围宽达-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业与消费电子环境。

• 型号:STL36N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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