STL3N80K5技术参数详情：
STL3N80K5是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用POWERFLAT封装。该器件核心规格为800V漏源电压（Vdss）和2.5A连续漏极电流（Id），专为高压功率开关应用而设计。
其技术亮点在于实现了高耐压与低导通电阻的优化组合，旨在最大限度地降低导通损耗，提升电源系统的整体效率。紧凑的POWERFLAT封装提供了出色的散热性能，确保器件在要求苛刻的功率转换环境中保持可靠运行。
- 型号:STL3N80K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
- 系列:*
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:-
- 技术:-
- 漏源电压（Vdss）:-
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 供应商器件封装:-
- 封装/外壳:-
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