STL3NK40技术参数详情：
STL3NK40是ST意法半导体推出的一款采用PowerFLAT封装的N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。其核心卖点在于400V的漏源电压（Vdss）与低至5.5欧姆的导通电阻（Rds(on)）相结合，同时具备极低的栅极电荷（Qg，最大值13nC），这使其在高压开关应用中能显著降低传导与开关损耗。
该器件在25°C壳温条件下的连续漏极电流为430mA，最大功耗2.5W，并支持-55°C至150°C的宽结温范围，确保了良好的功率处理能力和环境适应性。其紧凑的表面贴装封装为高功率密度设计提供了理想的解决方案。
- 型号:STL3NK40
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFLAT（5x5）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 400V 430MA POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:400 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):430mA（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 欧姆 @ 220mA，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 现在可以订购STL3NK40，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
