STL42N65M5

STL42N65M5是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat HV封装的高压N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件设计用于高效功率转换，其核心优势在于650V的漏源电压（V_DSS）和极低的导通电阻（R_DS(on)典型值79mΩ @10V），能够在高功率应用中显著降低传导损耗。

此外，其优化的栅极电荷（Q_G）特性支持快速开关，有助于提升开关频率并降低开关损耗，适用于对效率要求严苛的设计。器件采用表面贴装封装，提供良好的热性能，最高结温为150°C，确保了在紧凑空间和高温环境下的可靠运行。

• 型号:STL42N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta），34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），208W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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