STL42P6LLF6

STL42P6LLF6是意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的高性能P沟道功率MOSFET，隶属于先进的STripFET F6产品系列。该器件在60V的漏源电压下，能够支持高达42A（Tc）的连续导通电流，其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs条件下最大值仅为26毫欧，这显著降低了功率传导损耗。

此外，器件具备优异的动态特性，其栅极电荷（Qg）最大值低至30nC @ 4.5V，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。封装采用热增强型表面贴装PowerFlat（5x6），支持高达100W（Tc）的功率耗散和175°C的结温，确保了出色的热性能和可靠性。这些特性使其成为空间受限且要求高效率的电源管理、电机控制和负载开关等应用的理想选择。

• 型号:STL42P6LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 42A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:26 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3780 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 现在可以订购STL42P6LLF6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。