STL45N60DM6

STL45N60DM6是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat HV封装的高压N沟道功率MOSFET。该器件隶属于先进的MDmesh DM6产品系列，专为要求高效率和高功率密度的应用而优化。

其核心电气参数包括600V的漏源击穿电压（Vdss）和25A（Tc）的连续漏极电流能力。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至110毫欧 @ 12.5A，这直接带来了更低的导通损耗和更高的系统效率。紧凑的8x8 mm表面贴装封装在节省PCB空间的同时，支持高达160W（Tc）的功率耗散。

综合来看，STL45N60DM6凭借其高耐压、低导通电阻和优异的封装散热特性，成为工业电源、电机驱动和高端消费类电源等应用中功率开关部分的理想选择。

• 型号:STL45N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1920 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
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