STL4N10F7技术参数详情：
STL4N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的DeepGATE和第七代STripFET VII技术制造。该器件核心优势在于其优异的动态性能平衡，在100V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了仅70毫欧的低导通电阻（Rds(on) @ 10V）与7.8nC的低栅极电荷（Qg @ 10V），这使其在开关应用中能同时兼顾低导通损耗与高开关频率。
其封装采用热性能出色的PowerFlat（3.3x3.3），支持表面贴装，在壳温（Tc）条件下可处理高达18A的连续电流和50W的功率耗散，工作结温范围覆盖-55°C至150°C。这些参数使其成为同步整流、DC-DC转换及电机控制等中压、高效率功率转换应用的可靠选择。
- 型号:STL4N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Ta），18A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 2.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:408 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），50W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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