STL50DN6F7技术参数详情：
STL50DN6F7是ST意法半导体推出的一款双N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET产品系列。该器件采用先进的PowerFLAT封装，在紧凑的8-PowerVDFN外形中集成了两个独立的MOSFET通道，专为高功率密度和高效率应用而设计。
其核心电气参数表现卓越，具备60V的漏源电压（Vdss）和高达57A（Tc）的连续漏极电流能力。关键特性包括极低的导通电阻（典型11mΩ @ 10V）和极小的栅极电荷（最大17nC @ 10V），这共同确保了较低的导通损耗和出色的高频开关性能，有助于提升整体系统效率。
该MOSFET的工作结温范围宽广（-55°C ~ 175°C），最大功耗为62.5W，采用表面贴装形式，适用于要求严苛的工业与汽车电子环境，是同步整流、电机驱动和高效DC-DC转换器等应用的理想选择。
- 型号:STL50DN6F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 57A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):57A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 7.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1035pF @ 30V
- 功率 - 最大值:62.5W
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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