STL50NH3LL技术参数详情：
STL50NH3LL是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用先进的MOSFET技术，具备30V的漏源电压（Vdss）和高达27A（Tc）的连续漏极电流处理能力，专为高效功率开关应用而设计。
其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs条件下最大值仅为13毫欧，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）和栅极阈值电压（Vgs(th)）确保了快速、高效的开关性能，有助于优化驱动电路设计并减少开关损耗。器件采用热性能优异的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，适用于高密度PCB布局，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，满足工业级应用的可靠性要求。
- 型号:STL50NH3LL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 27A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 6.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:965 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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