STL52DN4LF7AG技术参数详情：
STL52DN4LF7AG是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的汽车级双N沟道功率MOSFET阵列。该器件基于STripFET F7技术，在8-PowerVDFN封装内集成了两个独立的MOSFET通道，实现了优异的功率密度与空间效率。
其核心电气参数包括40V的漏源电压、18A的连续漏极电流能力，以及低至16毫欧的导通电阻和9.4nC的栅极电荷。这些特性共同确保了器件在汽车12V/24V系统中具备低导通损耗、高开关效率和出色的热性能，工作结温范围覆盖-55°C至175°C。它专为要求高可靠性和紧凑设计的汽车与工业应用而优化。
- 型号:STL52DN4LF7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 40V 18A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16毫欧 @ 6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.4nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500pF @ 25V
- 功率 - 最大值:65W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 现在可以订购STL52DN4LF7AG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
