STL52N25M5

STL52N25M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件采用PowerFlat封装，提供250V的漏源电压（V_dss）和28A的连续漏极电流（I_d）处理能力，核心优势在于其优化的动态与静态性能。

其关键电气参数，包括在10V驱动下低至65mΩ的导通电阻（R_DS(on)）以及仅为47nC的栅极电荷（Q_g），共同确保了低导通损耗与高开关频率下的高效率。高达110W（T_C）的功率耗散能力与宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C），使其能够满足严苛的工业级应用对可靠性和散热的要求。

• 型号:STL52N25M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1770 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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