STL60N3LLH5

STL60N3LLH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET V产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在30V的漏源电压（V_DSS）规格下，提供了高达60A（T_C）的连续电流处理能力，并实现了极低的导通电阻（R_DS(on)），典型值仅为数毫欧量级。

其设计注重于优化开关性能与导通损耗的平衡。极低的栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗，从而提升系统在开关电源等应用中的工作效率。器件采用热增强型的表面贴装PowerFlat封装，具有良好的散热特性，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于空间受限且对热管理要求较高的应用环境。

• 型号:STL60N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.1 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1290 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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