STL62P3LLH6技术参数详情：
STL62P3LLH6是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的高性能P沟道功率MOSFET，属于STripFET H6产品系列。该器件设计用于30V电压等级的应用，在壳温条件下可支持高达62A的连续漏极电流，其核心优势在于极低的导通电阻（10.5mΩ @ 10V）与优化的栅极电荷（33nC @ 4.5V），有效降低了导通与开关损耗。
其PowerFlat（5x6）表面贴装封装提供了卓越的散热性能和低寄生参数，适用于高密度电路板设计。结合175°C的最高结温工作能力，使其成为中低压、大电流开关应用，如同步整流、电源路径管理和电机控制等场景中，追求高功率密度与高效率的可靠选择。
- 型号:STL62P3LLH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 30V 62A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):62A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 7A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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