STL6N3LLH6技术参数详情：
STL6N3LLH6是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET VI产品系列。该器件额定电压30V，连续漏极电流可达13A，其核心优势在于极低的导通电阻（25mΩ @ 10V, 3A）与极低的栅极电荷（3.6nC @ 4.5V）的出色结合。
这种特性组合使其能够同时实现低传导损耗和低开关损耗，特别适用于高频开关电源应用。其优化的栅极驱动特性（VGS(th)典型值1V）支持直接由逻辑电平驱动，简化了电路设计。紧凑的2x2 mm PowerFlat封装提供了卓越的散热性能，工作结温范围达-55°C至150°C，确保了在高功率密度和严苛环境应用中的可靠性与稳定性。
- 型号:STL6N3LLH6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（2x2）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.6 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:283 pF @ 24 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.4W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
- 封装/外壳:6-PowerWDFN
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