STL70N4LLF5技术参数详情：
STL70N4LLF5是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件隶属于STripFET V产品系列，采用先进的沟槽栅技术，在40V的漏源电压（VDSS）下可支持高达70A（TC）的连续漏极电流，为核心功率路径提供了强大的电流处理能力。
其关键优势在于极低的功率损耗。器件在10V VGS下的最大导通电阻（RDS(on)）仅为6.5mΩ，同时栅极电荷（Qg）最大值低至13nC（@4.5V），这共同实现了优异的导通与开关效率平衡。其采用热增强型PowerFlat（5x6）表面贴装封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，专为应对汽车电子严苛的环境要求而设计。
- 型号:STL70N4LLF5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 40V 70A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:40 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±22V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:72W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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