STL75N8LF6技术参数详情：
STL75N8LF6是ST意法半导体基于STripFET VI和DeepGATE技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用PowerFlat（5x6）表面贴装封装，核心优势在于其出色的功率处理能力与低损耗特性，额定值为80V漏源电压和75A连续漏极电流。
其关键电气参数定义了高性能表现：极低的导通电阻（典型7.4毫欧 @ 10V）显著降低了传导损耗，而优化的栅极电荷（125nC @ 4.5V）有助于实现高效的开关操作。器件支持宽泛的栅极驱动电压（-16V至+21V）并拥有-55°C至175°C的宽工作结温范围，确保了在各种应用环境下的设计灵活性与运行可靠性。
- 型号:STL75N8LF6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:80 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.4 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:125 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:+21V，-16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6895 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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