STL75NH3LL

STL75NH3LL是ST意法半导体推出的一款采用PowerFlat封装的N沟道功率MOSFET，隶属于STripFET产品系列。其核心优势在于极低的导通电阻（5.7毫欧 @ 10A, 10V）与栅极电荷（24nC @ 4.5V）的组合，这有效降低了传导与开关损耗，提升了系统效率。

该器件额定漏源电压为30V，在壳温条件下可支持高达75A的连续漏极电流，最大功率耗散为60W。其设计适用于高频率开关场景，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和可靠性，主要面向空间受限、要求高功率密度的同步整流和DC-DC电源转换应用。

• 型号:STL75NH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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