STL76DN4LF7AG技术参数详情：
STL76DN4LF7AG是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的车规级双N沟道功率MOSFET阵列，隶属于Automotive, STripFET F7产品系列。该器件采用表面贴装型8-PowerVDFN封装，集成了两个独立的40V耐压、40A连续电流处理能力的MOSFET通道。
其核心优势在于极低的功率损耗。导通电阻（RDS(on)）典型值低至6毫欧（@10A, 10V），配合仅17nC（@10V）的栅极电荷，实现了优异的传导效率与快速的开关性能。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和71W的最大功耗能力，确保了其在严苛汽车环境下的高可靠性与稳定性。
- 型号:STL76DN4LF7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:40V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:956pF @ 25V
- 功率 - 最大值:71W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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