STL7LN65K5AG技术参数详情：
STL7LN65K5AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用PowerFlat VHV封装，具备650V的高漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流处理能力，专为高可靠性应用设计。
其核心电气参数针对高效率开关进行了优化，在10V驱动下导通电阻（Rds(on)）最大值为1.5Ω，同时栅极电荷（Qg）低至11.7nC，这有效平衡了传导损耗与开关损耗。器件支持-55°C至150°C的宽结温范围，确保了在恶劣环境下的稳定运行。
这些特性使其成为汽车车载充电、工业电源转换及电机驱动等需要高耐压、高效率和高功率密度解决方案的关键功率开关元件。
- 型号:STL7LN65K5AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）VHV
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT VHV
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.7 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:79W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）VHV
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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