STL8DN10LF3技术参数详情：
STL8DN10LF3是ST意法半导体推出的符合AEC-Q101标准的汽车级双N沟道功率MOSFET。该器件采用STripFET III技术，在紧凑的8-PowerVDFN封装内集成了两个逻辑电平门驱动的MOSFET通道，支持高达100V的漏源电压和20A的连续漏极电流。
其核心优势在于优异的导通性能与开关效率的平衡。导通电阻（RDS(on)）低至35毫欧（@10V，4A），配合仅20.5nC的低栅极电荷，能有效降低传导与开关损耗，提升系统整体能效。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和70W的功率处理能力，确保了其在严苛的汽车及工业环境下的高可靠性运行。
- 型号:STL8DN10LF3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:100V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.5nC @ 10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:970pF @ 25V
- 功率 - 最大值:70W
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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