STL8DN6LF6AG

STL8DN6LF6AG是ST意法半导体推出的一款AEC-Q101认证的汽车级N沟道功率MOSFET，隶属于Automotive STripFET系列。该器件采用双N通道设计，集成于8-PowerVDFN（PowerFLAT）封装中，具备60V的漏源电压额定值和高达32A的连续漏极电流处理能力。

其核心电气特性表现为优异的低导通电阻，在10V Vgs条件下典型值仅为27毫欧，配合2.5V的最大栅极阈值电压，有效降低了传导损耗并简化了栅极驱动设计。器件支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了在严苛汽车环境下的高可靠性与稳健性，适用于各类高功率密度和高效率要求的开关应用。

• 型号:STL8DN6LF6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 32A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:-
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:27 毫欧 @ 9.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
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