STL92N10F7AG技术参数详情：
STL92N10F7AG是ST意法半导体推出的一款符合AEC-Q101标准的汽车级N沟道功率MOSFET。该器件采用STripFET技术，在紧凑的PowerFlat（5x6）表面贴装封装内，提供了100V的漏源电压（Vdss）和高达16A（Tc）的连续漏极电流处理能力。
其核心电气优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为9.5mΩ @ 8A，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg最大45nC）和开关特性有助于提升系统效率并简化驱动设计。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛汽车环境下的高可靠性与稳定性。
- 型号:STL92N10F7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（5x6）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 16A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.5 欧姆 @ 8A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:5W（Ta），100W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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