STL9N80K5技术参数详情：
STL9N80K5是ST意法半导体MDmesh K5系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高压开关应用，其核心参数包括800V的漏源电压（Vdss）和7A的连续漏极电流（Tc=25°C），提供了坚固的电压阻断和电流处理能力。
它采用先进的超结技术，旨在实现极低的导通电阻，从而显著降低导通损耗，提升系统效率。器件采用节省空间的表面贴装PowerFlat（5x6）封装，并支持高达110W的功率耗散，在紧凑的设计中实现了出色的热管理。这些特性使其成为工业电源、照明驱动和各类AC-DC变换器中追求高效率和高可靠性的优选功率开关元件。
- 制造商产品型号：STL9N80K5
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 800V 7A POWERFLAT
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：MDmesh K5
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：800V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
- 工作温度：-
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：PowerFlat（5x6）
- 现在可以订购STL9N80K5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
