STL9P3LLH6

STL9P3LLH6是ST意法半导体STripFET H6系列中的一款P沟道功率MOSFET。该器件额定值为30V漏源电压和9A连续漏极电流，其核心优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合，在10V Vgs下Rds(on)典型值仅为15毫欧，Qg低至24nC，这共同确保了高效率的功率开关与低导通损耗。

器件采用热性能优异的PowerFlat 3.3x3.3表面贴装封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，具备良好的环境适应性。这些特性使其成为空间受限且对能效要求严苛的负载开关、电源管理及电机驱动等应用的理想选择。

• 型号:STL9P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 9A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2615 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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