STN1HNK60

STN1HNK60是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道MOSFET，采用SOT-223表面贴装封装。其核心卖点在于600V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合优化的技术实现了较低的导通电阻，有效降低了功率传导损耗。

该器件设计用于提升开关电源的效率，其低栅极电荷和输入电容特性有助于实现快速开关并减少驱动损耗。额定连续漏极电流为400mA（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在宽温范围内的稳定性和可靠性，适用于中低功率的紧凑型电源转换应用。

• 型号:STN1HNK60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:156 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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