STN2NE10L

STN2NE10L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用SOT-223表面贴装封装，核心电气规格包括100V的漏源电压（V_dss）与1.8A的连续漏极电流（I_d）承载能力。

其技术亮点在于优异的动态与静态性能平衡。在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为400毫欧（@1A），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Q_g，最大值14nC @5V）和输入电容（C_iss）确保了快速的开关特性，有利于提升开关电源等应用的效率。器件兼容逻辑电平驱动，最大结温为150°C，提供了可靠的工作范围。

• 型号:STN2NE10L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:345 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.5W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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