STN2NF10技术参数详情：
STN2NF10是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的N沟道MOSFET，采用SOT-223表面贴装封装。该器件核心优势在于其100V的漏源电压(Vdss)和2.4A的连续漏极电流(Id)额定值，为中等功率应用提供了坚实的基础。
其性能亮点包括极低的导通电阻（最大值260毫欧 @ 10V， 1.2A），这能显著降低功率损耗并提升效率。同时，较低的栅极电荷（最大值14nC @ 10V）确保了快速的开关速度，有利于高频开关电源等应用。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备3.3W的功率耗散能力，保证了在多种环境下的可靠性与稳定性。
- 型号:STN2NF10
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-223
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 1.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:280 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223
- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
- 现在可以订购STN2NF10，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
