STN3P6F6技术参数详情：
STN3P6F6是意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VI技术的DeepGATE产品系列。该器件采用SOT-223封装，核心规格包括60V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流（Id）。
其关键性能优势在于极低的导通损耗，在10V Vgs、1.5A Id条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为160毫欧。同时，其栅极电荷（Qg）低至6.4nC，确保了快速的开关响应和较低的驱动损耗，有助于提升系统整体效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）使其能够适应苛刻的应用环境。
- 型号:STN3P6F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-223
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 60V SOT223
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tj）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.4 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 48 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.6W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223
- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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