STN4NF03L技术参数详情：
STN4NF03L是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的N沟道功率MOSFET，采用SOT-223表面贴装封装。该器件设计用于低压、高电流应用，其核心参数包括30V的漏源电压（Vdss）和高达6.5A（Tc）的连续漏极电流（Id）处理能力。
其关键优势在于优异的导通特性与开关性能的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至50毫欧@2A，能显著降低导通损耗。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为9nC@10V，且栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为1V，确保了其能够被标准逻辑电平快速、高效地驱动，非常适合高频开关应用。这些特性使其成为提升系统效率和功率密度的理想选择。
- 型号:STN4NF03L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-223
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT223
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:330 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:3.3W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223
- 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
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